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Obleas de silicio / sílice de primera calidad
Ofrecemos las obleas ultra planas de silicio y sílice (2 pulgadas ~ 6 pulgadas) de primera calidad a nuestros clientes de laboratorio para diversas aplicaciones de investigación. Estas obleas de silicio y sílice son perfectas para la deposición química o el crecimiento celular. Los chips cortados en cubos de 5 mm x 5 mm y 10 mm x 10 mm son ideales para imágenes AFM y SEM directas. Los sustratos de sílice son sustratos de silicio recubiertos uniformemente con una capa superficial de SiO2 crecida térmicamente a 200 nm. En comparación con el método de transición de vapor químico de transición (CVD), la oxidación térmica proporciona una mayor uniformidad y una mayor resistencia dieléctrica. Para nuestras obleas de silicio recubiertas con capas de óxido (es decir, obleas de sílice), solo usamos el proceso seco que involucra oxígeno molecular para crear la capa de óxido térmico seco (100 nm ~ 500 nm) para todas las capas térmicas en la parte superior de las obleas de silicio.
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Llave de datos:
Para todos nuestros sustratos de silicona / sílice:
Prime / CZ Virgin grado;
Orientación: <100>;
Tipo: P / Dopante: Boro
TIR <3 μm, TTV <10 μm, BOW <10 μm, rugosidad <0.5 nm
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Tamaños disponibles:
Oblea de seis pulgadas 6 '' con un grosor de 650 µm +/- 20 µm;
Oblea de 4 pulgadas de 4 pulgadas con un espesor de 525 µm +/- 20 µm;
Oblea de tres pulgadas 3 '' con un grosor de 400 µm +/- 20 µm;
Oblea de dos pulgadas 2 '' con un grosor de 300 µm +/- 15 µm;
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Formatos disponibles:
1x pieza en un portador de obleas;
10x piezas en una caja de obleas;
25x piezas en una caja de obleas;
Los transportistas de obleas o cajas de obleas se incluyen en cada compra.
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Las superficies pulidas de un solo lado (es decir, SSP) están disponibles para todas las obleas, mientras que las superficies pulidas de doble lado (es decir, DDP) están disponibles solo para obleas de silicio de 4 pulgadas. Para obleas de otros tamaños con superficies DDP, se pueden realizar pedidos personalizados en un volumen de pedido mínimo de 25 piezas.
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Hay chips cortados en cubos de 5 mm x 5 mm en caja de membrana de gel (25 piezas por caja) disponibles para sustratos de silicio / sílice con un espesor de 525 μm +/- 20 μm chips cortados en cubos de 10 mm x 10 mm en caja de membrana de gel (25 piezas por caja) están disponibles para sustratos de silicio con un grosor de 650 μm +/- 20 μm. Las virutas cortadas en cubitos con otros grosores están disponibles de forma personalizada. -
Las obleas de tipo P de grado premium son conocidas por su excelente tolerancia al calor. No se observa emisión de gas o elementos para estas obleas para calentar a 1,000 ° C / 1832 ° F. -
Para obleas de 2 '' ~ 4 '', las variaciones en la orientación <100> son <100> +/- 0.5 grados.
Para obleas de 6 '', hay obleas estándar y obleas de alta precisión disponibles. Para las obleas estándar de 6 '', las variaciones en la orientación <100> son <100> +/- 4.0 grados y para las obleas de alta precisión de 6 '', las variaciones en la orientación <100> son <100> +/- 0.5 grados.
La única diferencia entre las obleas estándar y las de alta precisión es la variación de orientación, y todos los demás parámetros técnicos son los mismos. Las obleas estándar son universalmente aplicables para la mayoría de las aplicaciones típicas que involucran el corte en cubos a máquina o no, para las de alta precisión son adecuadas para aplicaciones de alta precisión que involucran el corte a mano.
List of In-Stock Silicon, Thermal Oxide, Fused Silica Substrates in Canadian Dollars
Ultra- Flat Single-Side Polished (SSP) Silicon Substrates
Size: Two Inch 2'' (50.8 mm), Thickness: 180 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Two Inch 2'' (50.8 mm), Thickness: 300 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Two Inch 2'' (50.8 mm), Thickness: 300 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: N-Type/Phosphorus-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Three Inch 3'' (76.2 mm), Thickness: 400 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 500 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 0.001 - 0.005 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 1000 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: Undoped/Intrinsic, Resistivity: >10000 Ω·cm
Size: Six Inch 6'' (150.0 mm), Thickness: 650 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Six Inch 6'' (150.0 mm), Thickness: 500 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: N-Type/Phosphorus-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: 5.00 mm × 5.00 mm Diced Chips, Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: 10.00 mm × 10.00 mm Diced Chips, Thickness: 650 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Ultra- Flat Double-Side Polished (DSP) Silicon Wafers
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm); Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 0.001 - 0.005 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm); Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm); Thickness: 300 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 0.001 - 0.005 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm); Thickness: 300 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: N/Phosphorus-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm); Thickness: 300 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: N-Type/Phosphorus-Doped, Resistivity: 0.001 - 0.005 Ω·cm
Size: Six Inch 6'' (150.0 mm); Thickness: 650 um, Orientation: <100>,
Type/Dopant: P-Type/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
Ultra- Flat Single-Side Polished (SSP) Silicon Wafers with Dry Thermal Oxides (i.e. Silica Wafers)
Size: Four Inch 2'' (50.8 mm), Thickness: 300 um, Orientation: <100>,
Type: P/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
200 nm Dry Oxide Layers on Both Sides
Size: Four Inch 2'' (50.8 mm), Thickness: 300 um, Orientation: <100>,
Type: P/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
300 nm Dry Oxide Layers on Both Sides
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type: P/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
200 nm Dry Oxide Layers on Both Sides
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type: P/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
300 nm Dry Oxide Layers on Both Sides
Size: Four Inch 6'' (150.0 mm), Thickness: 650 um, Orientation: <100>,
Type: P/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
200 nm Dry Oxide Layers on Both Sides
Size: 5.00 mm x 5.00 mm Diced Chips, Thickness: 525 um, Orientation: <100>,
Type: P/Boron-Doped, Resistivity: 1 - 30 Ω·cm
200 nm Dry Oxide Layers on Both Sides
Ultra- Flat Double-Side Polished (DSP) Fused Silica/Quartz Wafers
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 400 um, Grade: JGS2
Size: Four Inch 4'' (100.0 mm), Thickness: 400 um, Grade: JGS1
1
Piece
$ 40
$ 40
$ 60
$ 60
$ 90
10
Pieces
25
Pieces
US
Amazon
UK
Amazon
$ 325
$ 695
$ 325
$ 695
$ 395
$ 795
$ 395
$ 795
$ 625
$ 1295
$ 60
Notes:
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